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查爾斯董事長楊晨

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Product demonstration

產品展示

Q2L C 級 SLIC

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: Q2L C 級 SLIC 技術: SIDACtor 設備 Q2L C 級 SLIC 系列 - QFN SIDACtor® 裝置 Q2L SIDACtor SLIC 系列能夠在低外型芯片級封裝 (CSP) 中提供單向瞬變電壓保護。小尺寸封裝 QFN (Quad Flatpak 無引線) 特別適用于每塊板卡具有多條線路的密集電路板應用?？稍诟〉挠∷㈦娐钒蹇臻g內容納更多保護裝置，因此高密度 SLIC 卡將從該 CSP 技術中受益。特性 . 符合 RoHS . 芯片級封裝(CSP) 尺寸 . 具有以下各種 IPP 額定值： o 適用于 2x10μs GR 1089 波形的 500A 型號 o 適用于 5x310/10x700μs ITU/YDT 波形的 200A 型號 o 適用于 10x1000μs GR 1089 波形的 100A 型號 o 適用于 10x560µμs TIA-968-A 的 150A 型號 . 單向瞬變電壓保護 . 占用面積小 (QFN) . Teccor 品牌 SIDACtor 技術保護解決方案符合以下標準： . YD/T 950 . YD/T 993 . YD/T 1082 . GR 1089 . IEC 61000-4-5 . ITU K.20/21 Basic/Level (基本/增強) . TIA-968-A
SL1021A

GDT

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系列: SL1021A 技術: 等離子氣體保護器 (GDT) SL1021A 系列 - 三端子中等負荷等離子氣體過壓保護器 (GDT) SL1021A 系列在抑制 100 伏/μS - 1 千伏/μS 的快速瞬變 (很可能來自誘導雷電擾動) 時性能極佳。SL1021A 系列的電容值也極低 (通常為 1 皮法或更低)，它的優化內部幾何結構在高頻上提供低插入損失，因此是寬頻帶設備的理想保護器件。這些器件非常強健，能夠轉移 10,000A 脈沖而不會造成破壞。特性 .  對快速瞬變的出色響應能力。 .  超低電容。 .  通過 IEC 61000-4-5 定義的 10 KA 浪涌測試 .  通過 IEC 6100-4-5 定義的 20 KA 單脈沖浪涌測試 .  可用于熱故障安全選件 (部件后添加了 'F' 后綴) .  符合 RoHS 要求應用 .  寬頻帶設備。 .  ADSL 設備。 .  XDSL 設備。 .  衛星和有線電視設備。通用電信設備。
SL1122

GDT

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系列: SL1122 技術: 等離子氣體保護器 (GDT) SL1122 系列 - 三端混合等離子過壓保護器 (GDT) SL1122 系列混合等離子過壓保護器的獨特之處是采用了高性能 Alpha 等離子管和高速硅雪崩二極管 (SAD)。這兩種器件協同作用：最初由 SAD 對高速脈沖起鉗位作用，之后，隨著電流的增大，瞬變能量將通過離子管切換?；旌系入x子過壓保護器在抑制 100 伏/μS - 10 千伏/μS 的快速瞬變時性能極佳，這就消除了標準 GDT 產生的 dv/dt 切換延遲。這些器件非常強健，能夠轉移 10,000 安培脈沖而不會造成破壞，因此，它們是保護中心局 (電話交換機)設備的理想之選。特性 . 對快速瞬變的出色響應能力。 . 高達 10 千伏/μS 的平坦響應 . 通過 IEC 61000-4-5 定義的 10 KA 浪涌測試 . SAD 在出現嚴重瞬變超載時可確保進入短路故障模式 . 熱故障安全應用 . MDF 保護 . 警報面板 . ADSL 設備 . XDSL 設備 . 通用電信設備
HV

GDT

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系列: HV 技術: 等離子氣體保護器 (GDT) HV 系列 - 氣體放電管 (GDTs) 特性 . 符合 RoHS . 兩終端配置 . 特高隔離高達指定切換電壓。 . 切換性能幾乎不會受到環境溫度變化的任何影響。 . UL 1414 Y2 類額定。經過 E56529 文件號認證。 . 防潮按 MIL-STD-202 方法 106 (90-98%RH, 65C) 應用 . 保護高電壓電路。在機箱和接地之間起隔離作用。
QUADRAC

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: Quadrac 技術: QUADRAC 設備 Teccor® Quadrac 器件 Teccor 品牌的 Quadrac 器件是三端雙向可控硅開關組件，其中包括安裝于同一個封裝內的二端交流開關組件觸發器。該器件由 Littelfuse 開發，與購買分布式二端交流開關組件并將其與門控三端雙向可控硅開關組件裝配在一起相比，用戶所需的費用更少，裝配時間更短。另外，交變 (雙向) 可控硅 Quadrac 器件 (QxxxxLTH) 省卻了對緩沖器網絡的使用需求。 Quadrac 器件是雙向交流開關，并對主終端電壓的正極或負極實行門控。它的主要用途是在以下應用領域進行交流切換和相位控制：速度控制、溫度調節控制以及需要抗擾的照明控制。三端雙向可控硅開關組件的電流范圍為 4 安培到 15 安培，電壓范圍從 200 伏到 600 伏。Quadrac 器件采用 TO-220 封裝。 TO-220 封裝從引線到安裝表面具有 2500 伏 rms 的電氣隔離。若要購買 4000 伏 rms，請用特殊訂單。這意味著不需要任何外部隔離，因此不必使用單獨的絕緣體和執行絕緣體安裝步驟，從而節省了“hot tab”器件的費用。所有 Teccor 三端雙向可控硅開關組件和二端交流開關組件芯片都有玻鈍芯片結，以確保長期的可靠性和參數穩定性。我們可以為定制設計應用提供該數據表中各器件的其它型號。請與廠家聯系，以了解更多信息。
SCR

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: SCR 技術: SCR Teccor® SCR 器件 Littelfuse Teccor 品牌可控硅 SCR 半導體產品線是半波單向門控制的整流器，它可作為 Teccor 品牌敏感可控硅整流器的補充。Littelfuse 可以為設備提供 1 安培到 70 安培的額定電流，以及 200 伏到 1000 伏的電壓，門控敏感度為 10 毫安到 50 毫安。如果需要門電流在 12μA 到 500μA 范圍內，請單件電源可控硅數據簿的中的“敏感 SCR”部分。這些封裝方式是在隔離結構下提供的，在這種結構下它們的盒或拉環已在內部隔離，這樣就能使用低成本的組裝和方便的包裝技術。 Teccor 的硅控整流器系列帶有玻鈍芯片結，以確保長期的可靠性和參數穩定性。玻璃提供了一道堅固、可靠的屏障，可防止芯片結污染。我們可以為定制設計應用提供該數據表中各器件的其它型號。請與廠家聯系，以了解更多信息。注意： . 除非另有說明，所有測量的頻率均為 60Hz，并且帶有電阻性負荷，環境溫度均為 +25 °C。 . 用于 TO-92 器件的工作溫度范圍 (Tj) 為 -65°C 到 +125°C，用于所有其它封裝方式的溫度為 -40°C 到 +125°C。 . TO-92 器件的存儲溫度范圍 (Ts) 為 -65 °C 到 +150 °C，TO-202 和 TO-220 器件的存儲溫度范圍為 -40 °C 到 +150 °C，所有其它系列的存儲溫度范圍為 -40 °C 到 +125 °C。鉛焊料最高溫度為 230 °C ，最長持續 10 秒；從外殼算起 >=1/16 英寸 (1.59 毫米)。
敏感硅控整流器

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: 敏感硅控整流器技術: SCR Teccor® 敏感硅控整流器器件 Teccor 品牌的敏感硅控整流器半導體是半波單向、門控整流器 (硅控整流器/半導體閘流體器)，它是對 Teccor 電源硅控整流器的補充。該組封裝的電流額定值為 0.8 安培到 10 安培，電壓額定值為 200 伏到 600 伏，門敏感度為 12μA 到 500μA。對于 10mA 到 50 mA 的門電流，請參見本目錄的“硅控整流器”部分。 TO-220 和 TO-92 是電氣隔離器件，它們的盒或拉環已在內部隔離，這樣就能使用低成本的組裝和方便的包裝技術。 Teccor 的硅控整流器系列帶有玻鈍芯片結，以確保長期的可靠性和參數穩定性。玻璃提供了一道堅固、可靠的屏障，可防止芯片結受污染。 TO-92 封裝已預裝在帶卷上。請與廠家聯系，以了解更多信息。我們可以為定制設計應用提供該數據表中各器件的其它型號。請與廠家聯系，以了解更多信息。注意： . 與所有 JEDEC 注冊數據一致的 2N5064 器件。 . 外殼引線溫度 (Tc 或 Tl) 的測量方式如外觀圖紙中所示。請參見封裝尺寸。 . 除非另有說明，所有測量 (Igt 除外) 都采用了外部電阻器 Rgk = 1 k 奧姆。 . 除非另有說明，所有測量的頻率均為 60Hz，并且帶有電阻性負荷，環境溫度均為 +25°C。 . EC 系列器件的工作溫度 (Tj) 為 -65°C 到 +110°C，2N 系列器件的工作溫度為 -65°C 到 +125°C，“TCR”系列的工作溫度為 -40°C 到 +125°C，所有其它系列的工作溫度為 -40°C 到 +110°C。 . TO-92 器件的存儲溫度范圍 (Ts) 為 -65°C 到 +150°C，TO-202 和 Compak 器件的存儲溫度范圍為 -40°C 到 +150°C，所有其它系列的存儲溫度范圍為 -40°C 到 +125°C。 . 鉛焊料最高溫度為 +230°C，最長持續 10 秒；從外殼算起最大 >=1/16" (1.59 毫米)。
SIDAC

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: SIDAC 技術: Sidac Teccor® SIDAC 器件 Teccor 品牌的 sidac 是硅雙邊電壓觸發開發，它比標準 diac 的功率處理能力強。如果應用的電壓超過崩潰電壓點，sidac 開關將打開，它通過負電阻區到達低開狀態電壓。將繼續導電，直到電流被中斷或低于器件的最低維持電流。 Teccor sidac 器件特有的玻鈍芯片結通過創建堅固、可靠的屏障來防止芯片結污染，從而確保長期的可靠性和穩定特性。我們可以為定制設計應用提供該數據表中各器件的其它型號。請與廠家聯系，以了解更多信息。注意： . 除非另有說明，所有測量的頻率均為 60 Hz，并且帶有電阻性負荷，環境溫度均為 +25°C。 . 存儲溫度范圍 (Ts) 為 -65°C 到 +150°C。 . 外殼 (Tc) 或引線 (Tl) 溫度的測量方式如外觀圖紙中所示。請參見封裝尺寸。 . 芯片結溫度范圍 (Tj) 為 -40°C 到 +125°C。 . 引線焊料溫度最大為 +230°C，最長持續 10s；從外殼算起
整流器

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: 整流器技術: 整流器 Teccor® 硅鎮流器器件 Littelfuse 制造電流為 15A rms 到 25A rms，電壓額定值為 200 伏到 1000 伏的整流器。這些整流器采用電氣隔離的 TO-220 封裝，它們可以在只使用一類部件的公共陽極或公共陰極電路中使用，從而簡化了庫存需求。 Teccor 品牌的硅整流器配有玻鈍芯片結，以確保長期的可靠性和穩定性。此外，玻璃提供了一道堅固、可靠的屏障，可防止芯片結受污染。注意： . 工作溫度范圍 (Tj) 為 -40°C 到 +125°C。 . 存儲溫度范圍 (TS) 為 -40°C 到 +125°C。 . 鉛焊料最高溫度為 230°C，最長持續 10 秒；從外殼算起最短為 1/16" (1.59 毫米)。 . 外殼溫度 (Tc) 的測量方式如外觀圖紙中所示。請參見封裝尺寸。 . Teccor 的電氣隔離 TO-220 器件在工作溫度范圍內耐受了高電壓測試，從引線到安裝片的電壓高達 2500 伏交流 rms。 . 典型的逆向恢復時間 (trr) 為 4 μs。 (測試條件 = 0.9 安培正向電流，1.5 安培逆向電流。)
敏感硅控三端閘流體

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: 敏感硅控三端閘流體技術: 三端雙向可控硅開關組件 Teccor® 敏感硅控三端閘流體器件 Teccor 敏感硅控三端閘流體包括帶有最高 8 安培電流能力的裝置。適用電壓范圍為 200 伏到 600 伏。該線路的特點是設備除了對可以控制常用的 Quadrants I 和 III 之外，還可以對 II 和 IV 進行保障控制。四相限控制器件需要敏感門控制可控硅?？梢酝ㄟ^數字電路控制這些裝置，在數字電路中僅為正極或僅為負極脈沖必須控制在兩個方向上通過裝置的交流電流。注意在 Quadrants II 和 IV 中具有低 IGT 值的三端雙向可控硅開關組件具有更低的 dv/dt 特性。敏感門控制可控硅是一個雙向交流開關，并對主終端電壓的正極或負極實行門控。它主要用于交流切換和相位控制應用，其中包括電動機轉速控制、溫度調節控制以及照明控制等。環氧樹脂 TO-92 和 TO-220 配置具有 Littelfuse 的電氣隔離構造，在這種構造中，外殼或安裝片與半導體芯片和引線附件在內部是隔離的。除了 TO-251 和表面安裝 TO-252 (D-Pak) 以外，還可以提供非隔離環氧樹脂 TO-202 封裝。還可以提供“帶卷”功能以及管式封裝。所有 Teccor 三端雙向可控硅開關組件都具有玻鈍芯片結。?；幚砟軌蚍乐罐D移，并能夠長期確保裝置的可靠性和參數穩定性。本數據表中其它型號的器件可用于定制設計應用。請與廠家聯系，以了解更多信息。注意： . 除非另有說明，所有測量的頻率均為 60 Hz，并且帶有電阻性負荷，環境溫度均為 +25°C。 . 用于 TO-92 器件的工作溫度范圍 (Tj) 為 -65°C 到 +110°C，用于所有其它封裝方式的溫度為 -40°C 到 +110°C。 . TO-92 器件的存儲溫度范圍 (Ts) 為 -65 °C 到 +150 °C，TO-202 器件的存儲溫度范圍為 -40 °C 到 +150 °C，TO-220 器件的存儲溫度范圍為 -40 °C 到 +125 °C。 . 鉛焊料最高溫度為 230°C，最長持續 10 秒；從外殼算起最短為 1/16 英寸（1.59 毫米）。 . 外殼或引線溫度（Tc 或 Tl）的測量方式如外觀圖紙中所示。請參見封裝尺寸。
三端 (雙向) 交變可控硅

功率可控硅,晶閘管保護器

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三端雙向可控硅開關組件

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: 三端雙向可控硅開關組件技術: 三端雙向可控硅開關組件 Teccor® 三端雙向可控硅開關組件器件 Littelfuse 生產的 Teccor 門可控硅是雙向半導體廣泛產品線的一部分。裝置的電流額定值范圍在 0.8 安培到 35 安培，電壓從 200 伏到 1000 伏。三端雙向可控硅開關組件可為施加電壓的任何一極從關閉狀態門觸發為導通狀態，并且設置為用于諸如轉速和溫度調節控制、照明控制和靜態切換繼電器等交流切換和相位控制應用。觸發信號通常用于控制門和 MT1 之間。絕緣封裝是通過內部結構實現的，將外殼與安裝片與半導體實現電氣隔離。該功能能夠使低成本組裝更為容易，并且可是實現更方便的封裝方法?？梢允褂脦Ь砉δ?。所有 Teccor 三端雙向可控硅開關組件都配有玻鈍芯片結，以確保長期的裝置可靠性和參數穩定性。玻鈍芯片結提供了一道堅固、可靠的屏障，可防止芯片結受污染。我們可以為定制設計應用提供該數據表中各器件的其它型號。請與廠家聯系，以了解更多信息。注意： . 除非另有說明，所有測量的頻率均為 60 赫茲，并且帶有電阻性負荷，環境溫度均為 +25°C。 . 用于 TO-92 器件的工作溫度范圍 (Tj) 為 -65°C 到 +125°C，用于 Fastpak 的溫度為 -25°C 到 +125°C，用于所有其它裝置的溫度為 -40°C 到 +125°C。 . TO-92 器件的存儲溫度范圍 (Ts) 為 -65°C 到 +150°C，TO-202 的存儲溫度范圍為 -40°C 到 +150°C，所有其它裝置的溫度范圍為 -40°C 到 +125°C。 . 鉛焊料最高溫度為 230 °C ，最長持續 10 秒；從外殼算起 >=1/16 英寸 (1.59 毫米)。 . 外殼溫度 (Tc) 的測量方式如外觀圖紙中所示。請參見封裝尺寸。
二端交流開關組件

功率可控硅,晶閘管保護器

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系列: 二端交流開關組件技術: 二端交流開關組件 Teccor® 二端交流開關組件 Littelfuse Teccor 品牌的“HT”和“ST”系列雙邊觸發器二端交流開關組件的切換電壓為 27 伏到 70 伏。二端交流開關組件是全波或雙向半導體閘流體器。每當應用電壓的振幅超過二端交流開關組件的崩潰電壓時，它將從閉鎖切換到導電狀態。 Teccor 二端交流開關組件特有的玻鈍芯片結通過創建堅固、可靠的屏障來防止芯片結污染，從而確保長期的可靠性和穩定特性。這些二端交流開關組件規范適用于標準產品。另外也提供了一些特殊參數選項，如接近容差電壓對稱。有關定制設計應用的更多信息，請向廠家咨詢。注意 . 廠家可以將這些產品的崩潰電壓對稱設為接近 1 伏。鉛焊料溫度為 +230°C，最長持續 10 秒；從外殼算起 >=1/16" (1.59 毫米)。
BXXX0C_

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: Bxxx0c_ 技術: Battrax SLIC 保護器 Battrax® 用戶線路界面電路保護器這是固態保護器件，它可以參考正電壓源或負電壓源。B1xx0C_ 用于 -Vref，B2050C_ 用于 +Vref。B1xx0C_ Battrax® 是使用硅控整流器和閘 (門) 二極管設計的，它從 |-Vref| + |-1.2 伏| 開始傳導，而 B2050C_ Battrax® 從 |+Vref| + |1.2 伏| 開始傳導。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25°C。IPP 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 . IPP 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . IPP 額定值假設 VREF = ±48 伏。 . VDRM 是在 IDRM 上測得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 關閉狀態電容值是在頻率為 1 MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的，它是一個典型值?！癈C”產品的電容值大約為列出值的 2 倍。 . 正 Battrax 信息是初步數據。 . 負 Battrax 的 VREF 最大值是 -200 伏。 . 負 Battrax 的 VREF 最大值是 110 伏。
BXXX1U_4

半導體閘流式浪涌保護器

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BXXX1U_

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: Bxxx1u_ 技術: Battrax SLIC 保護器 Battrax® 雙負用戶線路界面電路保護器該固態 Battrax® 保護器件參考負電壓源。它的雙芯片封裝內還有內部二極管，其作用是在發生正電涌事件時進行瞬變保護。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25°C。Ipp 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 . Ipp 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . Ipp 額定值假設 Vref = -48 伏。 . Vdrm 是在 Idrm 上測得的。 . Vs 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 關閉狀態電容值是在頻率為 1MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的，它是一個典型值。 . 負 Battrax® 的 Vref 最大值是 -200 伏。
BXXX4U_

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: Bxxx4u_ 技術: Battrax SLIC 保護器 Battrax® 雙正/負用戶線路界面電路保護器該 Battrax® 器件保護使用正負環電壓的用戶線路界面電路。它對上升時間為 100 伏/μs 到 Vref ±10 伏的瞬變電壓進行限制。 Littelfuse 的六引線 Battrax® 器件是使用四個硅控整流器和四個閘 (門) 二極管構造的。當硅控整流器的陰極 (引線 1 和 3) 應用的電壓低于 -Vref (和/或高于 +Vref) 時，硅控整流器導電。在導電期間，硅控整流器充當低電阻路徑，強制所有瞬變短路接地。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25°C。IPP 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 . IPP 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . IPP 額定值假設 VREF = ±48 伏。 . VDRM 是在 IDRM 上測得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 關閉狀態電容值是在頻率為 1MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的，它是一個典型值?！癠C”產品的電容值大約為列出值的 2 倍 . 正 Battrax 信息是初步數據。 . 負 Battrax 的 VREF 最大值是 -200 伏。 . 正 Battrax 的 VREF 最大值是 110 伏。
PXXX2C_

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: pxxx2c_ 技術: SIDACtor 設備 Compak (改裝的 DO-214AA) 兩芯片 SIDACTor® 器件改裝的 DO-214AA SIDACtor® 器件提供低成本的縱向保護。 SIDACtor 器件用于使設備符合各種安全規范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968 (以前稱為 FCC Part 68)。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25°C。IPP 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 . IPP 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . 列出的 SIDACtor 器件是雙向的。所有電氣參數和電涌額定值適用于正向和逆向極性。 . VDRM 是在 IDRM 上測得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 特殊電壓 (VS 和 VDRM) 和維持電流 (IH) 需求將視用戶的具體要求來解決。 . 關閉狀態電容值是在頻率為 1 MHz，偏置電壓為 2 伏時，在針腳 1-3 之間測量得到的。 . 必須考慮 UL 60950 漏電要求。
PXXX0SD

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: pxxx0sd 技術: SIDACtor 設備 DO-214AA 高電涌電流 (D-額定值) SIDACtor® 器件一般說明電涌額定值為 D 的 Littelfuse DO-214AA SIDACtor 固態保護器件保護電信設備，例如，調制解調器、線路卡、傳真機及其它 CPE 客戶端設備。這些 SIDACtor 器件可以耐受 GR1089 雷電測試中同時出現的電涌。 (請參見第 4-5 頁的“一級雷電電涌測試”。)與電涌額定值為 C 的器件相比，它的電涌額定值要多一倍。這樣就可使用 Littelfuse 已申請專利的“Y”配置的分布式表面安裝版本。 (美國專利 4,905,119) SIDACtor 器件用于使設備符合各種安全規范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968 (以前稱為 FCC Part 68)。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25°C。Ipp 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 . Ipp 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是雙向的。所有電氣參數和電涌額定值適用于正向和逆向極性。 . Vdrm 是在 Idrm 上測得的。 . Vs 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 特殊電壓 (Vs 和 Vdrm) 和維持電流 (Ih) 需求將視用戶的具體要求來解決。關閉狀態電容值是在頻率為 1 MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的，它是一個典型值。
PXXX0SCMC

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: Pxxx0SCMC 技術: SIDACtor 設備 DO-214AA SC 微型電容 (MC) SIDACtor® 器件 DO-214AA SC MC SIDACtor 系列適用于對負荷值敏感的應用領域。通常，高速連接需要較低的電容值。微型電容器件的 CO 內電容值比標準 SC 部件的 CO 內電容值低 40%。該 MC SIDACtor 系列用于使設備符合各種安全規范的要求，包括 GR 1089、IEC 60950、UL 60950 和 TIA-968 (以前稱為 FCC Part 68)。有關 ITU K.20、K.21 和 K.45 的信息，請與工廠聯系。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25°C。Ipp 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 . Ipp 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是雙向的。所有電氣參數和電涌額定值適用于正向和逆向極性。 . Vdrm 是在 Idrm 上測得的。 . Vs 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 特殊電壓 (Vs 和 Vdrm) 和維持電流 (Ih) 需求將視用戶的具體要求來解決。關閉狀態電容值是在頻率為 1 MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的。
PXXX0S_

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: pxxx0s_ 技術: SIDACtor 設備 DO-214AA SIDACtor® 器件 Littelfuse DO-214AA SIDACtor 固態保護器件保護電信設備，例如，調制解調器、線路卡、傳真機及其它 CPE 客戶端設備。 SIDACtor 器件用于使設備符合各種安全規范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA/EIA-IS-968 (以前稱為 FCC Part 68)。注意：所有測量的環境溫度均為 25°C。Ipp 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 Ipp 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。列出的 SIDACtor® 器件是雙向的。所有電氣參數和電涌額定值適用于正向和逆向極性。 Vdrm 是在 Idrm 上測得的。 Vs 是在 100 伏/μs 上測得的。特殊電壓 (Vs 和 Vdrm) 和維持電流 (Ih) 需求將視用戶的具體要求來解決。關閉狀態電容值是在頻率為 1 MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的，它是一個典型值。
PXXX0SAMC

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: Pxxx0SAMC 技術: SIDACtor 設備 DO-214AA 微電容 (MC) SA SIDACtor® 設備 Littelfuse DO-214AA SA MC SIDACtor 系列適用于對負荷值敏感的應用領域。通常，高速連接需要較低的電容值。微型電容器件的 CO 內電容值比標準 SA 部件的 CO 內電容值低 40%。這一 MC SIDACtor 系列用于使設備符合各種安全規范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA-968（以前稱為 FCC Part 68）。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25 °C。Ipp 適用于 -40 °C 到 +85 °C 的溫度范圍。 . Ipp 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是雙向的。所有電氣參數和電涌額定值適用于正向和逆向極性。 . Vdrm 是在 Idrm 上測得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 特殊電壓（Vs 和 Vdrm）和維持電流 (Ih) 需求將視用戶的具體要求來解決。 . 關閉狀態電容值是在頻率為 1 MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的。
SMT100

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: SMT100 技術: SIDACtor 設備 SMT100 系列 - 用于保護電信設備的 SiBOD® 可控硅保護器
SMT50

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: SMT50 技術: SIDACtor 設備 SMT50 系列 - 用于保護電信設備的 SiBOD® 可控硅保護器
SMTBJ

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: SMTBJ 技術: SIDACtor 設備 SMTBJ 系列 - 用于保護電信設備的 SIDACtor® 可控硅保護器
PXXX2S_

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: pxxx2s_ 技術: SIDACtor 設備 DO-214AA 寬帶 Optimized™ SIDACtor® 設備 DO-214AA 寬帶 Optimized™ SIDACtor® 設備適用于對負荷值敏感的應用領域。通常，高速連接需要較低的電容值。CO 內電容值比標準器件的 CO 內電容值低 40%。 SIDACtor 器件用于使設備符合各種安全規范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21 和 K.45、IEC 60950、UL 60950, 以及 TIA-968-A (以前稱為 FCC Part 68)。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25 °C。IPP 適用于 -40 °C 到 +85 °C 的溫度范圍。 . IPP 是重復性浪涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . 列出的 SIDACtor 器件是雙向的。所有電氣參數和浪涌額定值適用于正向和逆向極性。 . VDRM 是在 IDRM 上測得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 特殊電壓（VS 和 VDRM）和維持電流 (IH) 需求將視用戶的具體要求來解決。 . 關閉狀態電容是在帶有 2 伏電壓偏置的 1 兆赫電流下測得的。
T10A

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: T10A 技術: SIDACtor 設備 T10A 系列 - 用于保護電信設備的 SIDACtor® 可控硅保護器
T10B

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: T10B 技術: SIDACtor 設備 T10B 系列 - 用于保護電信設備的 SIDACtor® 可控硅保護器
T10C

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: T10C 技術: SIDACtor 設備 T10C 系列 - 用于保護電信設備 (具有故障安全功能) 的 SIDACtor®可控硅保護器
PXX00S_

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: pxx00s_ 技術: SIDACtor 設備 LCAS 不對稱分散式 SIDACtor® 器件這些 DO-214AA SIDACtor 器件適用于 LCAS (線電路檢修開關)，LCAS 需要在分布式 (獨立) 封裝中提供不對稱保護。它們使受保護的設備符合各種安全規范的要求，包括 GR 1089、ITU K.20、K.21、K.45、IEC 60950、UL 60950 以及 TIA/EIA-IS-968 (以前稱為 FCC Part 68)。注意： . 所有測量的環境溫度均為 25°C。Ipp 適用于 -40°C 到 +85°C 的溫度范圍。 . Ipp 是重復性電涌額定值，在產品的整個使用壽命范圍內，都應保證達到該額定值。 . 列出的 SIDACtor® 器件是雙向的。所有電氣參數和電涌額定值適用于正向和逆向極性。 . Vdrm 是在 Idrm 上測得的。 . VS 是在 100 伏/μs 上測得的。 . 特殊電壓 (Vs 和 Vdrm) 和維持電流 (Ih) 需求將視用戶的具體要求來解決。 . 關閉狀態電容值是在頻率為 1 MHz，偏置電壓為 2 伏時測量得到的，它是一個典型值。
AXXXXU_4

半導體閘流式浪涌保護器

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CR

半導體閘流式浪涌保護器

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系列: CR 技術: SIDACtor 設備 CR 系列 - 用于保護電信設備的 SiBOD™ 可控硅保護器

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